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英诺创科赢得氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺专利

发布日期:2026-07-05 14:00    点击次数:124

英诺创科赢得氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺专利

国度学问产权局信息露出,广州英诺创科半导体科技有限公司赢得一项名为“一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺”的专利,授权公告号CN117565179B,央求日历为2023年11月。

天眼查良友露出,广州英诺创科半导体科技有限公司,建立于2023年,位于广州市,欧美九区中文字幕是一家以从事科技试验和利用办处事为主的企业。企业注册本钱215.4508万东说念主民币。通过天眼查大数据分析,广州英诺创科半导体科技有限公司共对外投资了1家企业,专利信息23条,此外企业还领有行政许可11个。

声明:阛阓有风险,投资需严慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不组成个东说念主投资冷落。

本文源自:阛阓资讯

作家:谍报员